离子镀技术最早在1963年由D.M.Mattox提出，1972年，Bunshah &Juntz推出活性反应蒸发离子镀(AREIP)，沉积TiN,TiC等超硬膜，1972年Moley&Smith发展完善了空心热阴极离子镀，l973年又发展出射频离子镀(RFIP)。

　　20世纪80年代，又发展出磁控溅射离子镀(MSIP)和多弧离子镀(MAIP)。

　　(一) 离子镀

　　离子镀的基本特点是采用某种方法(如电子束蒸发磁控溅射，或多弧蒸发离化等)使中性粒子电离成离子和电子，在基体上必须施加负偏压，从而使离子对基体产生轰击，适当降低负偏压后，使离子进而沉积于基体成膜。

　　离子镀的优点如下：①膜层和基体结合力强。②膜层均匀，致密。③在负偏压作用下绕镀性好。④无污染。⑤多种基体材料均适合于离子镀。

　　(二)反应性离子镀

　　如果采用电子束蒸发源蒸发，在坩埚上方加20V～100V的正偏压。在真空室中导人反应性气体。如N2、O2、C2H2、CH4等代替Ar，或混入Ar，电子束中的高能电子(几千至几万电子伏特)，不仅使镀料熔化蒸发，而且能在熔化的镀料表面激励出二次电子，这些二次电子在上方正偏压作用下加速，与镀料蒸发中性粒子发生碰撞而电离成离子，在工件表面发生离化反应，从而获得氧化物(如Te02：Si02、Al2O3、ZnO、Sn02、Cr2O3、ZrO2、InO2等)。其特点是沉积率高，工艺温度低。

　　(三)多弧离子镀

　　多弧离子镀又称作电弧离子镀，由于在阴极上有多个弧斑持续呈现，故称作“多弧”。

　　多弧离子镀的主要特点如下：

　　(1)阴极电弧蒸发离化源可从固体阴极直接产生等离子体，而不产生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多个蒸发离化源。

　　(2)镀料的离化率高，一般达60%～90%，显著提高与基体的结合力改善膜层的性能。

　　(3)沉积速率高，改善镀膜的效率。

　　(4)设备结构简单，弧电源工作在低电压大电流工况，工作较为安全。

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